3D-Integration mit Layer-Transfer
Eine neue Layer-Release-Technologie verwendet einen Infrarot-(IR-)Laser, der Silizium durchdringt, sowie anorganische Release-Materialien, um ultradünne Schichten mit Nanometerpräzision von Siliziumträgern zu trennen
Nanometergenauer Layer-Transfer durch Silizium. Bei der 3D-Integration sind Trägertechnologien für die Dünnwaferbearbeitung der Schlüssel zu Systemen mit höherer Leistung und Interconnect-Bandbreite. Glasträger haben sich als Methode für den Aufbau von Device-Schichten durch temporäres Bonden mit organischen Bondmaterialien beziehungsweise Klebstoffen etabliert. Dabei wird üblicherweise ein Laser mit Wellenlängen im ultravioletten (UV) Bereich eingesetzt, um die Klebstoffe aufzulösen und die Bauteilschichten freizusetzen, die anschließend permanent auf den endgültigen Produktwafer gebondet werden. Glassubstrate lassen sich jedoch nur schwer mit Halbleiterfertigungsanlagen verarbeiten, die in erster Linie für Silizium ausgelegt sind und zur Verarbeitung von Glaswafern kostspielige Aufrüstungen erfordern […]
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