Transfer ultradünner Schichten
3D-Integration für Advanced Packaging und Transistor-Miniaturisierung. Das ›EVG850 NanoCleave‹-System ermöglicht die nanometergenaue Trennung von gebondeten, abgeschiedenen oder gewachsenen Schichten von Silizium-Trägersubstraten.
Ein Blick ins Innere des ›EVG850 NanoCleave‹-Systems: Es ermöglicht die nm-genaue Trennung von Silizium-Trägersubstraten
Dies geschieht mithilfe eines Infrarot-Lasers (IR) in Verbindung mit speziell entwickelten, anorganischen Release-Materialien auf einer bewährten, für die Hochvolumenfertigung ausgelegten Equipment-Plattform. Damit macht diese Lösung der EV Group (EVG) aus Sankt Florian in Österreich den Einsatz von Glasträgern überflüssig und ermöglicht ultradünnes Chiplet-Stacking für Advanced Packaging sowie die 3D-Stapelung ultradünner Schichten im Front-End Processing. Die ersten Systeme wurden, wie der Hersteller erklärt, bereits bei Kunden in Betrieb genommen.
Einfachere Anwendung mit Siliziumträgern
Bei der 3D-Integration haben sich Glasträger für den Aufbau von Device-Schichten durch temporäres Bonden mit organischen Kleb stoffen etabliert. Dabei wird ein Laser mit ultravioletter (UV-) Wellenlänge eingesetzt, um die Klebstoffe aufzulösen und die Device-Schichten abzulösen, die anschließend dauerhaft auf den endgültigen Produktwafer gebondet werden. Glassubstrate lassen sich jedoch nur schwer mit den Anlagen für die Halbleiterherstellung verarbeiten, die in erster Linie für Silizium ausgelegt sind und daher kostspielige Umrüstungen erfordern.
HERSTELLER
EV Group Europe & Asia/Pacific GmbH
A-4782 St. Florian am Inn
Tel. +43 7712 5311-0