Newsletter | Impressum | Mediadaten | Kontakt

Storefront

Logo von 3D-Micromac AG
Logo von BMF - Boston Micro Fabrication
Logo von BUSCH Microsystems GmbH
Logo von COHERENT
Logo von COLANDIS GmbH
Logo von Hartmetall-Werkzeugfabrikation Paul Horn GmbH
Logo von GF Machining Solutions SA
Logo von Infotech AG
Logo von JAT - Jenaer Antriebstechnik GmbH
Logo von Leonhardt Graveurbetrieb
Logo von LT Ultra-Precision Technology GmbH
Logo von MAFAC - E. Schwarz GmbH & Co. KG
Logo von maxon motor gmbh
Logo von Micreon GmbH
Logo von MICRO-EPSILON MESSTECHNIK GmbH & Co. KG
Logo von MKS Instruments - Newport Spectra-Physics GmbH
Logo von nanosystec
Logo von PM B.V.
Logo von POSALUX SA
Logo von Pulsar Photonics GmbH
Logo von SCANLAB GmbH
Logo von SPHINX Werkzeuge AG
Logo von Steinmeyer Holding GmbH
Logo von Fritz Studer AG
Logo von Walter Maschinenbau GmbH
Logo von WITTMANN BATTENFELD GmbH
Logo von Zecha Hartmetall-Werkzeugfabrikation GmbH
 

Neues Center der Halbleiter-Forschung

Ein Leuchtturm der Halbleiterforschung mit internationaler Reichweite entsteht in Dresden. Mit Etablierung des Centers for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony bündeln das Fraunhofer IPMS und das Fraunhofer IZM-ASSID ihre Kompetenzen. Sie bieten künftig die komplette Wertschöpfungskette in der 300-mm-Mikroelektronik und damit die Voraussetzung für Hightech-Forschung für Zukunftstechnologien.

Symbolische Waferübergabe zur feierlichen Eröffnung des ›Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony‹ in Dresden V.l.: Prof. Harald Schenk, Institutsleiter des Fraunhofer IPMS, Sebastian Gemkow, Sächsischer Staatsminister für Wissenschaft, Dr. Manuela Junghähnel, Standortleiterin des neuen Centers, Prof. Reimund Neugebauer, Präsident der Fraunhofer-Gesellschaft, Prof. Hubert Lakner, Institutsleiter des Fraunhofer IPMS, Wenke Weinreich, Standortleiterin des neuen Centers, Dr. Manfred Horstmann, Vice President GlobalFoundries Dresden, Prof. Martin Schneider-Ramelow, Institutsleiter des Fraunhofer IZM sowie Dirk Hilbert, Oberbürgermeister von Dresden

Mit dem Fraunhofer IZM-ASSID und Fraunhofer IPMS, Bereich Center Nanoelectronic Technologies CNT, sind zwei bundesweit einzigartige Forschungseinrichtungen auf dem Gebiet der Mikroelektronik in Sachsen angesiedelt. Es sind heute die beiden einzigen deutschen Forschungszentren für angewandte Mikroelektronikforschung, die auf Basis von 300-mm-Wafer-Industriestandard-Equipment forschen.

 

Mit der Bündelung der Kompetenzen und Gründung des Centers for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony sollen nun die Perspektiven, Halbleiter-Unternehmen und Systemanwender sowie Material- und Anlagenhersteller weltweit anzuziehen und an Silicon Saxony zu binden, weiter verbessert werden. Für Industrie- und Forschungsaufträge sind neben hervorragendem Personal und Know-how eine Ausstattung mit einem modernen Geräte- und Anlagenpark entscheidend.

 

Mit einem Investitionsvolumen von etwa 140 Mio. Euro in Reinraum-Anlagen ist das Fraunhofer IPMS in Deutschland einmalig im Bereich der angewandten Forschung auf dem modernen 300-mm-Wafer-Industriestandard im Frontend der CMOS-Herstellung positioniert. Das Fraunhofer IZM-ASSID ergänzt diese Expertise mit innovativen Packaging- und Systemintegrations-Technologien. Geleitet wird das Center künftig von Dr. Wenke Weinreich, Bereichsleiterin am CNT und stellvertretende Institutsleiterin des Fraunhofer IPMS, sowie Dr. Manuela Junghähnel, Standortleiterin am IZM-ASSID.

 

Das Center for Advanced CMOS & Heterointegration Saxony wurde am 7. Juni feierlich eröffnet. Es entsteht am Standort des Fraunhofer IPMS, An der Bartlake 5 in Dresden, im neuen, 4000 qm großen Reinraum.

 

 

www.izm.fraunhofer.de
www.ipms.fraunhofer.de