Forschungsinfrastruktur für Halbleiter-Technik erweitert
Am 30. Juni 2022 wurden die neuen Forschungsgebäude des Fraunhofer IAF feierlich eingeweiht
Neue Gebäude für optoelektronische Messtechnik, Quantensensorik und Epitaxie. Das Fraunhofer IAF, Freiburg, hat seine Forschungsinfrastruktur ausgebaut und die Bedingungen für die Entwicklung von Halbleiter-Technologien weiter verbessert. Zwei neue Forschungsgebäude ermöglichen es den Forschenden innovative Technologien auf der Grundlage von Verbindungshalbleitern zu entwickeln. Mit dem neuen Laborgebäude für optoelektronische Messtechnik und Quantensensorik sowie der neuen Anlagenhalle für die metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) legt das Institut den Grundstein für die strategische Weiterentwicklung seiner Kernkompetenzen. Die durch Mittel des Bundes, des Landes Baden-Württemberg und des Bundesministeriums der Verteidigung (BMVg) finanzierten Neubauten wurden am 30. Juni 2022 feierlich eingeweiht und erfüllen hohe Standards hinsichtlich Energieeffizienz, Nachhaltigkeit und Baudynamik.
Den großen Mehrwert der Neubauten für das Institut erläutert der Bereichsleiter für Forschungsinfrastruktur, Dr. Martin Walther, wie folgt: »Mit den neuen Laboren stehen unseren Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftlern noch bessere Forschungsbedingungen zur Verfügung. Namentlich die Applikationslabore für Quantensensorik und Laser-Spektroskopie erweitern die Kooperationsmöglichkeiten mit Industrie- und Forschungspartnern signifikant. Durch die neue MOCVD-Halle konnten wir zudem unseren Epitaxie-Anlagenpark vergrößern, das Niveau der Materialqualität und Reproduzierbarkeit weiter erhöhen und zugleich einen deutlich effizienteren Betrieb sicherstellen.«
Im neuen Laborgebäude stehen insgesamt 22 Labore auf 900 m² Nutzfläche zur Verfügung, die baudynamisch für den Einsatz höchst schwingungsempfindlicher Geräte konzipiert wurden. Sie halten die Schwingungsgrenzwertlinien B und C der sogenannten Vibration Criteria (VC) ein und eignen sich so beispielsweise für den Betrieb von Mikroskopen bis zu 1000-facher Vergrößerung oder Lithographie- wie Inspektionsgeräten mit Strukturbreiten bis 3 beziehungsweise 1 µm. Dies gewährleistet langfristig die Nutzung anspruchsvoller Messtechnik für immer kleiner werdende Strukturen und erlaubt die intensive Erforschung und Entwicklung von Quantensensoren wie Rastersonden-, Weitfeld- und Laserschwellen-Magnetometern sowie laserbasierter Sensorik und innovativer Halbleiter-Laser.
Die neuerrichtete MOCVD-Halle bietet Platz für fünf Anlagen, mit denen das Fraunhofer IAF insbesondere seine epitaktischen Aktivitäten im Bereich der Halbleiter mit hoher Bandlücke ausbauen kann. Zu den vier Bestandsanlagen, die aus dem Reinraum des Hauptgebäudes umgezogen wurden, kam eine neue Anlage speziell für die Abscheidung von Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) mit hohem Aluminiumgehalt. Die neue Anlage erreicht Temperaturen bis zu 1400 °C, was sich positiv auf Kristallqualität und Homogenität auswirkt. Vorteile ergeben sich zudem aus der Ausstattung der Halle, die über autonome regenerative Aufbereitungssysteme verfügt, wodurch energieeffizientere und nachhaltigere Fertigungsprozesse ermöglicht werden.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
79108 Freiburg