Wafer-Separation durch V-DOE-Mehrstrahl-Laser
Multi-Beam-Laser-Dicing-Plattform: »Siliziumkarbid (SiC) ist mit seinen überlegenen elektrischen und thermischen Eigenschaften ein unverzichtbares Material für die Energiewende. Mit ihm lässt sich innovative und kompakte Leistungselektronik herstellen, zum Beispiel für hocheffiziente Wechselrichter«, erklärt David Felicetti, Business Development & Product Marketing Manager, bei ASMPT. »SiC-Wafer sind jedoch sehr dünn und empfindlich, was bisher beim Dicing und Grooving oft zu niedrigem Durchsatz und hohem Ausschuss führte.«
Präzise, schonend und effizient schneidet die Multi-Beam-Laser-Dicing-Plattform ›Alsi Laser1205‹ mit dem von ASMPT entwickelten Vertical-Diffraction Optical Element (V-DOE). V-DOEs nutzen Mehrstrahl-Laserprozesse für die Separation von Halbleiterwafern: Ein DOE-Element teilt den Laserstrahl in mehrere Teilstrahlen auf, die gleichzeitig verschiedene Bereiche des Wafers bearbeiten. Diese Methode ermöglicht es, die Materialschichten effizient zu durchschneiden, was die Prozesszeit drastisch verkürzt und die Präzision erhöht. Die Mehrstrahltechnik minimiert zudem die Heat Affected Zone (HAZ), was die Qualität und Festigkeit der geschnittenen Chips verbessert. Die Anlage kann Wafer von 10 bis 250 µm Dicke verarbeiten und erreicht dabei eine Positioniergenauigkeit von weniger als 1,5 µm.
Hersteller:
ASMPT Ltd.
D-81379 München
www.asmpt.com