SiC-Leistungselektronik testen
Verschiedene Konfigurationen evaluieren, bevor ein Design in Hardware umgesetzt wird. Die Elektrifizierung treibt das Wachstum von SiC-Halbleitern voran, da Märkte wie E-Mobilität, Nachhaltigkeit und Industrie auf SiC-basierte Leistungselektronik setzen. Diese bietet schnelleres Schalten, geringere Verluste und arbeitet zuverlässig bei höheren Temperaturen. Microchip Technology, mit Hauptsitz in Chandler, USA, stellt jetzt den ›MPLAB SiC Power Simulator‹ vor. Mit diesem lassen sich die SiC-Leistungsbauelemente und -module von Microchip in verschiedenen Konfigurationen schnell evaluieren, bevor ein Design in Hardware umgesetzt wird. Wie das Unternehmen erklärt, gestaltet sich der Übergang zu SiC-Leistungselektronik-Lösungen somit einfach, schnell und sicher.
Der Simulator ist eine PLECS-basierte (Piecewise Linear Electrical Circuit Simulation) Softwareumgebung, die zusammen mit Plexim entwickelt wurde, um ein kostenloses Online-Tool bereitzustellen, das den Kauf einer Simulationslizenz überflüssig macht. Der Simulator soll den Entwicklungsprozess für verschiedene SiC-basierte Leistungselektronik-Designs beschleunigen. Kunden können damit SiC-Lösungen in der Entwicklungsphase sicher bewerten und evaluieren.
Das Tool verkürzt die Markteinführung, indem es eine umfassende SiC-Evaluierung ermöglicht, die nicht nur Benchmarking-Daten bereitstellt, sondern auch die Zeit für die Bauteilauswahl verkürzt. Ein Leistungselektronik-Entwickler, der sich zwischen einem 25- und einem 40-mΩ-SiC-MOSFET für einen aktiven 3-Phasen-Frontend-Wandler entscheidet, kann sofort Simulationsergebnisse erhalten, wie zum Beispiel die durchschnittliche Verlustleistung und die Spitzen-Sperrschichttemperatur der Bauelemente.
Der Simulator ist ein Design-Tool für OEMs, die Stromversorgungssysteme für E-Mobilität, Nachhaltigkeit und Industrieanwendungen entwickeln, darunter Elektrofahrzeuge (EVs), On-/Off-Board-Ladegeräte, Netzteile und Batteriespeichersysteme.
Das SiC-Angebot von Microchip umfasst Leistungsmodulgehäuse mit der niedrigsten parasitären Induktivität (<2,9 nH) sowie diskrete 3,3-kV-MOSFETs und -Dioden mit höchsten verfügbaren Nennströmen. Das Angebot umfasst auch 700-, 1200- und 1700-V-Dies, diskrete Bauelemente und Module sowie die konfigurierbaren digitalen Gate-Treiber ›AgileSwitch‹.
Microchip Technology Germany II GmbH & Co. KG
85748 Garching bei München